Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF

Der Schwerpunkt Ihrer Arbeit als Wissenschaftler*in liegt in der Erforschung geeigneter Prozesse für die Herstellung komplexer nitridischer Halbleiter-Schichtfolgen mit dem Verfahren der metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidung (MOCVD). Sie sind dabei als Teil eines Teams aus Wissenschaftler*innen, Ingenieur*innen und Techniker*innen an aktuellen Forschungsprojekten zur Entwicklung innovativer elektronischer und optoelektronischer Bauteile für zahlreiche Anwendungen, z. B. in der Leistungselektronik, beteiligt. Sie entwickeln und optimieren bestehende und neue MOCVD-Prozesse. Die Oberflächenmorphologie epitaktischer Schichten charakterisieren Sie mittels optischer und Rasterkraftmikroskopie und nutzen Kapazitäts-Spannungs- (CV-) und Hall-Messungen, um ihre elektrischen Eigenschaften zu bestimmen. Zusammen mit Ergebnissen der hochauflösenden Röntgendiffratometrie (HRXRD), Sekundärionen-Massenspektrometrie (SIMS) und Photolumineszenz-Spektroskopie (PL) verwenden Sie diese Daten zur Bewertung der Materialqualität. Darüber hinaus übernehmen Sie die Analyse und Modellbildung der Wachstumskinetik der Epitaxie-Prozesse. Sie nutzen Charakterisierungsdaten der aus den abgeschiedenen Schichten hergestellten Bauelemente, um die Epitaxiestrukturen und Wachstumsbedingungen anzupassen und die Leistungsparameter der Bauelemente zu verbessern. Dazu leiten Sie Forschungsprojekte bzw. Teilprojekte und arbeiten dabei eng mit anderen Gruppen und Abteilungen am Institut zusammen. Sie wirken bei der Akquise neuer Forschungsprojekte öffentlicher und industrieller Auftraggeber mit. Gemeinsam mit der zuständigen Gruppenleitung tragen Sie die wissenschaftliche Verantwortung für die MOCVD von Nitrid-Halbleitern sowie den sicheren und effektiven Betrieb der dafür eingesetzten Großanlagen. Dabei unterstützen Sie unsere Techniker*innen bzw. Ingenieur*innen und leiten sie bei Betrieb, Optimierung und Wartung der Anlagen an.